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Advanced Technical Information
IXKC 19N60C5
0.5
T JV = 150°C
5.5 V
6 V 6.5 V
7V
0.4
I D = 16 A
V GS = 10 V
120
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
25 °C
0.4
V DS =
5V
20 V
0.3
80
0.3
0.2
T J =
150 °C
0.2
0.1
0.1
98 %
typ
40
0
0
0
0
10
20
30
40
50
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state resistance
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
2
25 °C, 98%
10
9
I D = 16 A pulsed
10
5
V GS = 0 V
f = 1 MHz
10
1
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98%
8
7
V DS = 120 V 1 20 V
40 0V
10
4
Ciss
6
10
3
Coss
5
10
0
4
3
2
10
10
2
1
Crss
1
10
-1
0
0.5
1
1.5
2
0
0
10
20
30
40
50
60
10
0
0
50
100
150
200
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
800
600
I D = 11 A
700
660
I D = 0.25 mA
10
0
0.5
0.2
D = t p /T
400
620
10
-1
0.1
0.05
200
580
0.02
0.01
single pulse
0
20
60
100
140
180
540
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
t p [s]
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209b
4-4
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